CVD铜基底石墨烯薄膜

CVD铜基底石墨烯薄膜

产品特点

1、单层，晶格缺陷少，接近本征石墨烯；

2、可见光透过率高，导电性良好；

3、加工性好，可以转移在不同的基材上。
特征与优势

CVD铜基底石墨烯薄膜的制备，采用化学气相沉积法，将碳源高温分解沉积在铜基底表面，形成了二维碳原子层。CVD铜基底石墨烯薄膜的单层率高，品质优异，可实现石墨烯大面积生长，且较易转移到其它各种基材上使用。

产品参数

产品型号			MFVU-1060	MFVU-1061
项目		单位	参数
尺寸		cm²	＜100	＞100
单层覆盖率		%	>98	>90
拉曼光谱	I_2D/I_G	/	＞2	＞2
拉曼光谱	W_2DFWHM	cm^-1	≈30	≈30

应用方向

晶体管 | 柔性显示屏 | 半导体材料 | 精密传感器